삼성E&A

삼성전자 평택 고덕 P2 UT동 프로젝트

평택 삼성전자 P2 산업 프로젝트는 평택 고덕 첨단산업단지에 P1 라인에 이어 연면적 12만 8,900㎡에 달하는 대규모 반도체 생산라인을 신축한 사업입니다. 이 프로젝트는 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급 모바일 D램(DRAM)뿐 아니라 차세대 V낸드(V-Nand), 초미세 파운드리(Foundry) 제품까지 생산하는 복합 생산 라인입니다. 삼성엔지니어링은 P2 단지의 D램과 V낸드, 파운드리, EUV 공정에 필요한 냉수, 스팀, 압축공기, 공업용수와 같은 유틸리티를 생산 라인에 공급하는 인프라와 일 최대 약 24만 냉동톤의 냉수를 공급할 수 있는 규모의 설비를 구축했습니다. P2 프로젝트에서는 삼성엔지니어링이 수행한 P1 프로젝트에서의 경험을 반영하여 UT동과 CT동의 블록 단위 레이아웃 설계를 통해 가동 중인 구간과의 간섭을 최소화 할 수 있는 최적 유틸리티 시스템을 구현했습니다. 또한 PTW Wall 적용, 파이프랙(Pipe Rack) 모듈화 확대, 장비의 스키드(Skid) 범위 확대 등 다양한 설계 차별화 기술을 적용해 현장 작업을 최소화하고 공사기간을 단축시켜 품질을 유지하고 및 안전을 확보했습니다.